RN4987FE,LF(CB
RN4987FE,LF(CB
Número de pieza:
RN4987FE,LF(CB
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18187 Pieces
Ficha de datos:
RN4987FE,LF(CB.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:ES6
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:100mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:RN4987FE(T5L,F,T)
RN4987FE(T5LFT)TR
RN4987FE(T5LFT)TR-ND
RN4987FE,LF(CT
RN4987FELF(CBTR
RN4987FELF(CTTR
RN4987FELF(CTTR-ND
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RN4987FE,LF(CB
Frecuencia - Transición:250MHz, 200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Descripción:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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