RN4602TE85LF
RN4602TE85LF
Número de pieza:
RN4602TE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12458 Pieces
Ficha de datos:
RN4602TE85LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SM6
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-74, SOT-457
Otros nombres:RN4602(TE85L,F)
RN4602TE85LFTR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:RN4602TE85LF
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Descripción:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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