RN2706JE(TE85L,F)
RN2706JE(TE85L,F)
Número de pieza:
RN2706JE(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15251 Pieces
Ficha de datos:
RN2706JE(TE85L,F).pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Paquete del dispositivo:ESV
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):4.7k
Potencia - Max:100mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SOT-553
Otros nombres:RN2706JE(TE85LF)CT
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RN2706JE(TE85L,F)
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Descripción:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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