RN2606(TE85L,F)
RN2606(TE85L,F)
Número de pieza:
RN2606(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17899 Pieces
Ficha de datos:
RN2606(TE85L,F).pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RN2606(TE85L,F), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RN2606(TE85L,F) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar RN2606(TE85L,F) con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SM6
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):4.7k
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-74, SOT-457
Otros nombres:RN2606(TE85LF)TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RN2606(TE85L,F)
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Descripción:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios