RN2507(TE85L,F)
RN2507(TE85L,F)
Número de pieza:
RN2507(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18280 Pieces
Ficha de datos:
RN2507(TE85L,F).pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Paquete del dispositivo:SMV
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-74A, SOT-753
Otros nombres:RN2507(TE85LF)TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RN2507(TE85L,F)
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Descripción:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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