RN2110ACT(TPL3)
RN2110ACT(TPL3)
Número de pieza:
RN2110ACT(TPL3)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12818 Pieces
Ficha de datos:
RN2110ACT(TPL3).pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:CST3
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):4.7k
Potencia - Max:100mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-101, SOT-883
Otros nombres:RN2110ACT(TPL3)TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RN2110ACT(TPL3)
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Descripción:TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):80mA
Email:[email protected]

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