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RN1965FE(TE85L,F)
- Número de pieza:
- RN1965FE(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18137 Pieces
- Ficha de datos:
- RN1965FE(TE85L,F).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RN1965FE(TE85L,F), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RN1965FE(TE85L,F) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | ES6 |
| Serie: | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 47k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
| Potencia - Max: | 100mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | RN1965FE(TE85LF)CT |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | RN1965FE(TE85L,F) |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Descripción: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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