RN1408,LF(B
RN1408,LF(B
Número de pieza:
RN1408,LF(B
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12663 Pieces
Ficha de datos:
RN1408,LF(B.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:S-Mini
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):22k
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:RN1408(TE85L,F)
RN1408(TE85LF)TR
RN1408(TE85LF)TR-ND
RN1408,LF
RN1408,LF(T
RN1408LF(BTR
RN1408LFTR
RN1408LFTR-ND
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:RN1408,LF(B
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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