RN1313(TE85L,F)
RN1313(TE85L,F)
Número de pieza:
RN1313(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16903 Pieces
Ficha de datos:
RN1313(TE85L,F).pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RN1313(TE85L,F), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RN1313(TE85L,F) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar RN1313(TE85L,F) con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:USM
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):47k
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:RN1313(TE85LF)
RN1313(TE85LF)-ND
RN1313(TE85LF)TR
RN1313TE85LF
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RN1313(TE85L,F)
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount USM
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios