RN1130MFV,L3F
RN1130MFV,L3F
Número de pieza:
RN1130MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13716 Pieces
Ficha de datos:
RN1130MFV,L3F.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:VESM
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):100k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):100k
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-723
Otros nombres:RN1130MFV(TL3,T)
RN1130MFV(TL3T)TR
RN1130MFV(TL3T)TR-ND
RN1130MFV,L3F(B
RN1130MFV,L3F(T
RN1130MFVL3F
RN1130MFVL3F-ND
RN1130MFVL3FTR
RN1130MFVTL3T
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RN1130MFV,L3F
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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