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RN1130MFV,L3F
- Número de pieza:
- RN1130MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13716 Pieces
- Ficha de datos:
- RN1130MFV,L3F.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RN1130MFV,L3F, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RN1130MFV,L3F por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | VESM |
| Serie: | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 100k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | 100k |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-723 |
| Otros nombres: | RN1130MFV(TL3,T) RN1130MFV(TL3T)TR RN1130MFV(TL3T)TR-ND RN1130MFV,L3F(B RN1130MFV,L3F(T RN1130MFVL3F RN1130MFVL3F-ND RN1130MFVL3FTR RN1130MFVTL3T |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RN1130MFV,L3F |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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