RN1110,LF(CT
RN1110,LF(CT
Número de pieza:
RN1110,LF(CT
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15570 Pieces
Ficha de datos:
RN1110,LF(CT.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SSM
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):4.7k
Potencia - Max:100mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-75, SOT-416
Otros nombres:RN1110,LF(CB
RN1110LF(CT
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RN1110,LF(CT
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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