RN1101CT(TPL3)
RN1101CT(TPL3)
Número de pieza:
RN1101CT(TPL3)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15700 Pieces
Ficha de datos:
RN1101CT(TPL3).pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):20V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:CST3
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):4.7k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):4.7k
Potencia - Max:50mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-101, SOT-883
Otros nombres:RN1101CT(TPL3)TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RN1101CT(TPL3)
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):50mA
Email:[email protected]

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