RMW180N03TB
RMW180N03TB
Número de pieza:
RMW180N03TB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 18A 8PSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19110 Pieces
Ficha de datos:
RMW180N03TB.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PSOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.6 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:RMW180N03TBCT
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RMW180N03TB
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 18A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-PSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 18A 8PSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

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