RLS4150TE-11
RLS4150TE-11
Número de pieza:
RLS4150TE-11
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 50V 200MA LLDS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16240 Pieces
Ficha de datos:
RLS4150TE-11.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1V @ 200mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):50V
Paquete del dispositivo:LLDS
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):4ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Otros nombres:RLS4150TE-11TR
RLS4150TE11
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 200°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RLS4150TE-11
Descripción ampliada:Diode Standard 50V 200mA Surface Mount LLDS
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 50V 200MA LLDS
Corriente - Fuga inversa a Vr:100nA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io):200mA
Capacitancia Vr, F:2.5pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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