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RHRD660S9A
- Número de pieza:
- RHRD660S9A
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19503 Pieces
- Ficha de datos:
- RHRD660S9A.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RHRD660S9A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RHRD660S9A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2.1V @ 6A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | TO-252AA |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 35ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | RHRD660S9A-ND RHRD660S9ATR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 27 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RHRD660S9A |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-252AA |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 6A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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