RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11
Número de pieza:
RGTH00TS65DGC11
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19843 Pieces
Ficha de datos:
RGTH00TS65DGC11.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Condición de prueba:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:39ns/143ns
Cambio de Energía:-
Paquete del dispositivo:TO-247N
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):54ns
Potencia - Max:277W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:RGTH00TS65DGC11
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
puerta de carga:94nC
Descripción ampliada:IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
Descripción:IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Corriente - Colector Pulsada (ICM):200A
Corriente - colector (Ic) (Max):85A
Email:[email protected]

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