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RGT8NS65DGTL
- Número de pieza:
- RGT8NS65DGTL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15578 Pieces
- Ficha de datos:
- RGT8NS65DGTL.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RGT8NS65DGTL, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RGT8NS65DGTL por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
| Condición de prueba: | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 17ns/69ns |
| Cambio de Energía: | - |
| Paquete del dispositivo: | LPDS (TO-263S) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 40ns |
| Potencia - Max: | 65W |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | RGT8NS65DGTLDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RGT8NS65DGTL |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench Field Stop |
| puerta de carga: | 13.5nC |
| Descripción ampliada: | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| Descripción: | IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 12A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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