RGT8BM65DTL
RGT8BM65DTL
Número de pieza:
RGT8BM65DTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
IGBT 650V 8A 62W TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13018 Pieces
Ficha de datos:
RGT8BM65DTL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 4A
Condición de prueba:400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:17ns/69ns
Cambio de Energía:-
Paquete del dispositivo:TO-252
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):40ns
Potencia - Max:62W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:RGT8BM65DTLTR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:RGT8BM65DTL
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
puerta de carga:13.5nC
Descripción ampliada:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 62W Surface Mount TO-252
Descripción:IGBT 650V 8A 62W TO-252
Corriente - Colector Pulsada (ICM):12A
Corriente - colector (Ic) (Max):8A
Email:[email protected]

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