RFN1L6STE25
RFN1L6STE25
Número de pieza:
RFN1L6STE25
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15492 Pieces
Ficha de datos:
RFN1L6STE25.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RFN1L6STE25, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RFN1L6STE25 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar RFN1L6STE25 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.45V @ 800mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):600V
Paquete del dispositivo:PMDS
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):35ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-214AC, SMA
Otros nombres:RFN1L6STE25TR
Temperatura de funcionamiento - Junction:150°C (Max)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:RFN1L6STE25
Descripción ampliada:Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Corriente - Fuga inversa a Vr:1µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io):800mA
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios