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RFN10T2D
- Número de pieza:
- RFN10T2D
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16913 Pieces
- Ficha de datos:
- RFN10T2D.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RFN10T2D, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RFN10T2D por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 980mV @ 5A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 200V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220FN |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 25ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | RFN10T2D |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción: | DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 5A |
| Email: | [email protected] |
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