RFG60P05E
RFG60P05E
Número de pieza:
RFG60P05E
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 50V 60A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19121 Pieces
Ficha de datos:
RFG60P05E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):215W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RFG60P05E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:450nC @ 20V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 50V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción:MOSFET P-CH 50V 60A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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