RDN050N20FU6
RDN050N20FU6
Número de pieza:
RDN050N20FU6
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16356 Pieces
Ficha de datos:
RDN050N20FU6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220FN
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:720 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):30W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RDN050N20FU6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:292pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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