RAL025P01TCR
RAL025P01TCR
Número de pieza:
RAL025P01TCR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16275 Pieces
Ficha de datos:
RAL025P01TCR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):-8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TUMT6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):320mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-SMD, Flat Leads
Otros nombres:RAL025P01TCRTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RAL025P01TCR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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