QS8J13TR
QS8J13TR
Número de pieza:
QS8J13TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19442 Pieces
Ficha de datos:
QS8J13TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Potencia - Max:1.25W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:QS8J13TRTR
QS8J13TRTR-ND
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:QS8J13TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6300pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A
Email:[email protected]

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