Comprar PXAC261002FCV1R250XTMA1 con BYCHPS
Compre con garantía
PXAC261002FCV1R250XTMA1
- Número de pieza:
- PXAC261002FCV1R250XTMA1
- Descripción:
- IC AMP RF LDMOS
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12542 Pieces
- Ficha de datos:
- PXAC261002FCV1R250XTMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PXAC261002FCV1R250XTMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PXAC261002FCV1R250XTMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 26V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | H-37248-4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 18W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | H-37248-4 |
| Otros nombres: | SP001153982 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PXAC261002FCV1R250XTMA1 |
| Ganancia: | 15.1dB |
| Frecuencia: | 2.69GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 26V 210mA 2.69GHz 15.1dB 18W H-37248-4 |
| Descripción: | IC AMP RF LDMOS |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 210mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PXAC261002FCV1R250XTMA1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PXAC261212FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | Investigación |
|
PXAC261202FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 2CH 65V 2.61GHZ | Investigación |
|
PXAC261212FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Investigación |
|
PXAC261002FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Investigación |
|
PXAC260622SCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Investigación |
|
PXAC261202FCV1S250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 2CH 65V 2.61GHZ | Investigación |
|
PXAC261002FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | Investigación |
|
PXAC261202FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 2CH 65V 2.61GHZ | Investigación |
|
PXAC261212FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog