Comprar PTFA220121MV4XUMA1 con BYCHPS
Compre con garantía
PTFA220121MV4XUMA1
- Número de pieza:
- PTFA220121MV4XUMA1
- Descripción:
- FET RF LDMOS 10W SON10
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12011 Pieces
- Ficha de datos:
- PTFA220121MV4XUMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PTFA220121MV4XUMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PTFA220121MV4XUMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | PG-SON-10 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 9.3W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 10-LDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | PTFA220121M V4 PTFA220121M V4-ND PTFA220121MV4XTMA1 SP000707922 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | PTFA220121MV4XUMA1 |
| Ganancia: | 16.2dB |
| Frecuencia: | 2.14GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 28V 150mA 2.14GHz 16.2dB 9.3W PG-SON-10 |
| Descripción: | FET RF LDMOS 10W SON10 |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PTFA220121MV4XUMA1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA220041MV4XUMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 4W SON10 | Investigación |
|
PTFA220121MV4R1KXUMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET TRANSISTORS | Investigación |
 |
PTFA260451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 | Investigación |
|
PTFA220041MV4R1KXUMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET TRANSISTORS | Investigación |
 |
PTFA210601F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 | Investigación |
|
PTFA220081MV4XUMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 8W SON10 | Investigación |
|
PTFA260851E V1 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 | Investigación |
|
PTFA211801EV5XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2 | Investigación |
|
PTFA211801EV5T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | Investigación |
|
PTFA261702E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 | Investigación |
|
PTFA212001F1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF POWER TRANSISTOR | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog