Comprar PTFA091201GL V1 con BYCHPS
Compre con garantía
PTFA091201GL V1
- Número de pieza:
- PTFA091201GL V1
- Descripción:
- IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16364 Pieces
- Ficha de datos:
- PTFA091201GL V1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PTFA091201GL V1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PTFA091201GL V1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | PG-63248-2 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 110W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Otros nombres: | SP000229298 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | PTFA091201GL V1 |
| Ganancia: | 18.5dB |
| Frecuencia: | 960MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-63248-2 |
| Descripción: | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 |
| Valoración actual: | 10µA |
| Corriente - Prueba: | 750mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PTFA091201GL V1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA091201HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | Investigación |
|
PTFA091201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | Investigación |
 |
PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | Investigación |
|
PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | Investigación |
 |
PTFA091201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 | Investigación |
|
PTFA091201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 | Investigación |
|
PTFA091201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog