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PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Número de pieza:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Descripción:
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14437 Pieces
- Ficha de datos:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PTAB182002TCV2R250XTMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PTAB182002TCV2R250XTMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | H-49248H-4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 29W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | H-49248H-4 |
| Otros nombres: | SP001483354 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| Ganancia: | 14.8dB |
| Frecuencia: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4 |
| Descripción: | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| Valoración actual: | 10µA |
| Corriente - Prueba: | 520mA |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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