Comprar PSMN8R5-60YS,115 con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 mOhm @ 15A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 106W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | SC-100, SOT-669 |
Otros nombres: | 1727-4280-2 568-4969-2 568-4969-2-ND 934064402115 PSMN8R560YS115 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | PSMN8R5-60YS,115 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 30V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 60V 76A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
Descripción: | MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 76A (Tc) |
Email: | [email protected] |