PSMN5R8-30LL,115
Número de pieza:
PSMN5R8-30LL,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 30V QFN3333
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16537 Pieces
Ficha de datos:
PSMN5R8-30LL,115.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.15V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-DFN3333 (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.8 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):55W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-VDFN Exposed Pad
Otros nombres:568-5593-2
934064655115
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PSMN5R8-30LL,115
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1316pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 40A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V QFN3333
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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