PSMN045-80YS,115
PSMN045-80YS,115
Número de pieza:
PSMN045-80YS,115
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16520 Pieces
Ficha de datos:
PSMN045-80YS,115.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PSMN045-80YS,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PSMN045-80YS,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar PSMN045-80YS,115 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LFPAK56, Power-SO8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:45 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):56W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-100, SOT-669
Otros nombres:1727-4630-2
568-5587-2
568-5587-2-ND
934064149115
PSMN04580YS115
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PSMN045-80YS,115
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:675pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 24A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios