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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > PQMB11Z
PQMB11Z
PQMB11Z
Número de pieza:
PQMB11Z
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
TRANS PNP/PNP RET 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12102 Pieces
Ficha de datos:
PQMB11Z.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PQMB11Z, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PQMB11Z por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor:2 PNP Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:DFN1010B-6
Serie:Automotive, AEC-Q101
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:230mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-XFDFN Exposed Pad
Otros nombres:1727-2708-2
568-13229-2
568-13229-2-ND
934069743147
PQMB11Z-ND
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:PQMB11Z
Frecuencia - Transición:180MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
Descripción:TRANS PNP/PNP RET 6DFN
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):1µA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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