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PMXB56ENZ
- Número de pieza:
- PMXB56ENZ
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17995 Pieces
- Ficha de datos:
- PMXB56ENZ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMXB56ENZ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMXB56ENZ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DFN1010D-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 55 mOhm @ 3.2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | 1727-2313-2 568-12599-2 568-12599-2-ND 934067234147 PMXB56ENZ-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PMXB56ENZ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 209pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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