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PMWD19UN,518
- Número de pieza:
- PMWD19UN,518
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14478 Pieces
- Ficha de datos:
- PMWD19UN,518.pdf
Introducción
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Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 700mV @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-TSSOP |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 2.3W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Otros nombres: | 568-2361-2 934057598518 PMWD19UN /T3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMWD19UN,518 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1478pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 28nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.6A |
| Email: | [email protected] |
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