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PMPB215ENEAX
- Número de pieza:
- PMPB215ENEAX
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13853 Pieces
- Ficha de datos:
- PMPB215ENEAX.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMPB215ENEAX, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMPB215ENEAX por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 230 mOhm @ 1.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | 934067477115 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMPB215ENEAX |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 215pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 80V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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