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PMGD780SN,115
- Número de pieza:
- PMGD780SN,115
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17941 Pieces
- Ficha de datos:
- PMGD780SN,115.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMGD780SN,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMGD780SN,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 6-TSSOP |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 920 mOhm @ 300mA, 10V |
| Potencia - Max: | 410mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | 1727-3127-2 568-2369-2 568-2369-2-ND 934057709115 PMGD780SN T/R PMGD780SN115 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMGD780SN,115 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 23pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.05nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 490mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 490mA |
| Email: | [email protected] |
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