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PMGD290XN,115
- Número de pieza:
- PMGD290XN,115
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16717 Pieces
- Ficha de datos:
- PMGD290XN,115.pdf
Introducción
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Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 6-TSSOP |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Potencia - Max: | 410mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | 1727-3126-2 568-2366-2 568-2366-2-ND 934057731115 PMGD290XN T/R PMGD290XN115 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMGD290XN,115 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 34pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.72nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 860mA |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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