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PMFPB8032XP,115
- Número de pieza:
- PMFPB8032XP,115
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13491 Pieces
- Ficha de datos:
- PMFPB8032XP,115.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMFPB8032XP,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMFPB8032XP,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DFN2020-6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 485mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | 1727-1351-2 568-10788-2 568-10788-2-ND 934066583115 PMFPB8032XP,115-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMFPB8032XP,115 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 2.7A (Ta) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN2020-6 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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