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PMEG2010EPA,115
- Número de pieza:
- PMEG2010EPA,115
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A 3HUSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14899 Pieces
- Ficha de datos:
- PMEG2010EPA,115.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMEG2010EPA,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMEG2010EPA,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 375mV @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 20V |
| Paquete del dispositivo: | 3-HUSON (2x2) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 50ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-PowerUDFN |
| Otros nombres: | 1727-5825-2 568-7391-2 568-7391-2-ND 934063484115 PMEG2010EPA,115-ND PMEG2010EPA115 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMEG2010EPA,115 |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 20V 1A Surface Mount 3-HUSON (2x2) |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 20V 1A 3HUSON |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.9mA @ 20V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 175pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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