PMDXB600UNE
PMDXB600UNE
Número de pieza:
PMDXB600UNE
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17531 Pieces
Ficha de datos:
PMDXB600UNE.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMDXB600UNE, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMDXB600UNE por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar PMDXB600UNE con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:950mV @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-DFN (1.1x1)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Potencia - Max:265mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-XFDFN Exposed Pad
Otros nombres:1727-1470-2
568-10941-2
568-10941-2-ND
934067655147
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:PMDXB600UNE
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:21.3pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:600mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios