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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > PIMH9,115
PIMH9,115
PIMH9,115
Número de pieza:
PIMH9,115
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15110 Pieces
Ficha de datos:
PIMH9,115.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:6-TSOP
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:600mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-74, SOT-457
Otros nombres:934056728115
PIMH9 T/R
PIMH9 T/R-ND
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:PIMH9,115
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 600mW Surface Mount 6-TSOP
Descripción:TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):1µA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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