PHX27NQ11T,127
PHX27NQ11T,127
Número de pieza:
PHX27NQ11T,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12757 Pieces
Ficha de datos:
PHX27NQ11T,127.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres:934058494127
PHX27NQ11T
PHX27NQ11T-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PHX27NQ11T,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1240pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 110V 20.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:110V
Descripción:MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20.8A (Tc)
Email:[email protected]

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