PHU77NQ03T,127
PHU77NQ03T,127
Número de pieza:
PHU77NQ03T,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17159 Pieces
Ficha de datos:
PHU77NQ03T,127.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.2V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:9.5 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):107W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:934060504127
PHU77NQ03T
PHU77NQ03T-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PHU77NQ03T,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17.1nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 75A (Tc) 107W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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