PHT8N06LT,135
PHT8N06LT,135
Número de pieza:
PHT8N06LT,135
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16253 Pieces
Ficha de datos:
PHT8N06LT,135.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 5A, 5V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:568-7369-2
934054610135
PHT8N06LT /T3
PHT8N06LT /T3-ND
PHT8N06LT,135-ND
PHT8N06LT135
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PHT8N06LT,135
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11.2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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