PHD23NQ10T,118
PHD23NQ10T,118
Número de pieza:
PHD23NQ10T,118
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12511 Pieces
Ficha de datos:
PHD23NQ10T,118.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo):100W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:934055697118
PHD23NQ10T /T3
PHD23NQ10T /T3-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PHD23NQ10T,118
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1187pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 23A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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