PHB33NQ20T,118
PHB33NQ20T,118
Número de pieza:
PHB33NQ20T,118
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14167 Pieces
Ficha de datos:
PHB33NQ20T,118.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:77 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):230W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:1727-4765-2
568-5942-2
568-5942-2-ND
934058109118
PHB33NQ20T /T3
PHB33NQ20T /T3-ND
PHB33NQ20T,118-ND
PHB33NQ20T118
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:PHB33NQ20T,118
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1870pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 32.7A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32.7A (Tc)
Email:[email protected]

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