PHB146NQ06LT,118
PHB146NQ06LT,118
Número de pieza:
PHB146NQ06LT,118
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16002 Pieces
Ficha de datos:
PHB146NQ06LT,118.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.4 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:568-2185-2
934058547118
PHB146NQ06LT /T3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PHB146NQ06LT,118
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5675pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 75A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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