Comprar PH3120L,115 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie: | TrenchMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.65 mOhm @ 25A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 62.5W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | SC-100, SOT-669 |
Otros nombres: | 1727-3052-2 568-2178-2 568-2178-2-ND 934057822115 PH3120L T/R |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | PH3120L,115 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4457pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 48.5nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 20V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
Descripción: | MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |