PCP1302-TD-H
PCP1302-TD-H
Número de pieza:
PCP1302-TD-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 3A SOT89
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19245 Pieces
Ficha de datos:
PCP1302-TD-H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.6V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-89/PCP-1
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:266 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.5W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-243AA
Otros nombres:PCP1302-TD-HOSDKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:PCP1302-TD-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:262pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.4nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 3A (Ta) 3.5W (Tc) Surface Mount SOT-89/PCP-1
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 3A SOT89
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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