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NVTFS5820NLTWG
NVTFS5820NLTWG
Número de pieza:
NVTFS5820NLTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18671 Pieces
Ficha de datos:
NVTFS5820NLTWG.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NVTFS5820NLTWG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NVTFS5820NLTWG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:11.5 mOhm @ 8.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.2W (Ta), 21W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:NVTFS5820NLTWG-ND
NVTFS5820NLTWGOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:23 Weeks
Número de pieza del fabricante:NVTFS5820NLTWG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1462pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 11A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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